多晶炉（晶体生长炉）

一、设备概况

1.1 设备用途：晶体材料生长设备。

1.2 VGF、HB、HGF、VB产品特点：
1.2.1 用于GaAs等化合物晶体的生长；
1.2.2 按结构形式：垂直生长、水平生长；
1.2.3 按生长方式：梯度生长及移动生长。

1.3 晶体生长尺寸：2-6寸
1.4 设备分类：HB、HGF、VGF、VB

二、主要技术参数

适用于Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的晶体薄膜生长，满足化合物半导体器件的生产、研发工艺；加热炉体单管水平式，可左右移动；适合晶体尺寸可定制。