一、设备概况
1.1应用领域:晶圆甩干机广泛应用于半导体制造业,尤其是在晶圆清洗、光刻、蚀刻等工艺步骤中。它是晶圆生产线中的重要设备,对提高晶圆生产质量和效率具有重要意义。通过晶圆甩干机的使用,可以确保晶圆表面洁净无残留,为后续工艺提供优质的基材。
晶圆甩干机的主要功能是通过离心力将晶圆表面残留的清洗液和其他杂质甩干,从而使晶圆表面干燥洁净。这个过程对于后续工艺的顺利进行至关重要,因为任何残留的液体或污染物都会影响晶圆的质量和生产效率。
1.2名称:晶圆甩干机
1.3型号:CSM880S
1.4尺寸:710mm*520mm*1850mm
1.5晶圆规格:2-8 英寸
二、主要结构特征
2.1 结构特征
晶圆甩干机主要由主轴传动部分,片盒夹具,工作腔,机架,门盖部分,洁净管路部分,电气控制等组成。
▪ 材质:不锈钢机架+10mm PP板外壳
▪ 设备机架:SUS304不锈钢材料,能够满足洁净室工作环境。
▪ 腔体和载体采用耐腐蚀SUS316L不锈钢并电化学抛光。片架载体可方便更换。
▪ 电机及转子经精密的动平衡处理,减少设备共振。
▪ 采用专用定制无刷电机及控制器,保证设备的稳定、可靠及满足系统对洁净度处理的要求。
▪ 管路系统:PFA洁净管路
2.2工艺腔体及载体
▪ 工艺腔数量∶2个 材质为不锈钢316L(腔体电解抛光处理)
▪ 规格∶ 加工尺寸 2-8 英寸全高片盒,可兼容。
▪ 工作转速∶ 200—2200 RPM/MIN
▪ 加热功能∶ 氮气加热 腔体加热
▪ 轴封:电机转轴采用氮气轴封。
2.3 纯水控制单元:
▪ 采用扇形冲洗喷嘴。
▪ 排水口安装电阻率探头,对腔体排水水质进行监测。
▪ 冲洗工艺完成后,氮气将残留在冲洗管路内的去离子水吹净。
▪ 待机时,保持回水盒内有水流入且流量可调。
2.4 氮气控制单元:
▪ 管件阀门: SMC电磁阀、 PFA高纯管件、 PTFE气控阀门。
▪ 氮气加热功能: 316不锈钢加热器在线加热,温度开关控制, 加热温度控制在 80℃。
▪ 配置高洁净型减压阀,内置氮气过滤器,过滤精度 0.003μm。
2.5 防静电控制单元:
▪ 由高压发生器、氮气电离室及氮气控制通道组成。
▪ 当氮气通过高压发生器的控制区时,氮气电离充斥整个工艺腔体,形成中和平衡消除静电。
2.6颗粒度:
▪ 颗粒增加值:需与客户确认
2.7电控单元及软件系统:
▪ 甩干工艺过程由 PLC 控制器+触摸屏控制,可选择设置多种用户工艺菜单,并对每 个菜单的内容如:时间、速度参数进行设置。
▪ 系统软件还具有密码权限设置,故障显示及报警功能。设备出现故障时,系统会停止工作并显示错误信息、报警以提示更改和维修。
2.8工艺流程:
去离子水旋转冲洗+离心甩干氮气烘干
| 时间 | 60s 30 s 200S 100S |
|---|---|
| 速度 | 8 00r/min 10 00r/min 18 00r/min 15 00r/min |
| 介质 | 去离子水 氮气 氮气 氮气 |
| 氮气温度 | 无 0 ° 80 ° 80 ° |
| 加工硅片尺寸 | 2-8 英寸 圆片 |
| 单次甩干数量 | 50 片 |
| 工 位数量 (个) | 2 |
| 碎片率 | ≤ 0.0 1 % |
| 颗粒增加值 | 需与客户确认 |
| 旋转速度 RPM / MIN | 200 - 2200 |
| 甩干时间 | 5- 8 min |
| 腔室及氮气加热方式 | 电 加热器 |
| 氮气压力 | 0.25-0.3Mpa ,氮气管接口 3/8 ” |
| 氮气耗量 L/min | 90-120 |
| 纯水 压力 | 0.25-0.3Mpa , 管接口 3/8 ” |
| 排水管 | 40mm 圆 管 PVC 管 |
| 控制系统 | 三菱 PLC 可编程控制器 |
| 显示 | 4.3 寸触摸屏 |
| 电源 | AC 220 V |
| 整机功率 | 6 KW |
| 外型尺寸 (深 * 宽 * 高) mm | 710mm*520mm*1850mm |
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